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集成电路/2N7000
商品型号:2N7000

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品牌:VISHAY(威世)
封装:-
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  • 商品名称:2N7000
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    2N7000

  • 封装规格:-
  • 商品编号:VISHAY1825104987
  • 商品重量:0.000100kg
2N7000中文资料
2N7000中文资料第2页精选内容: 2N7000 / 2N7002,VQ1000J / P,BS170 VISHAY SILICONIX WWW.VISHAY.COM 11-2文件号:70226 S-04279-REV. F,16-JUL-01 绝对最大额定值(T A = 25_C,除非另有说明)单总四分之一参数符号 2N7000 2N7002 VQ1000J VQ1000P VQ1000J / P BS170单元漏源电压 V DS 60 60 60 60 60门源电压 - 非重复性 V GSM “40 “40 “30 “25 V门源电压连续 V GS “20 “20 “20 “20 “20连续的漏极电流 T A = 25_C 0.2 0.115 0.225 0.225 0.5连续的漏极电流 (T J = 150℃) T A = 100_C 我 D 0.13 0.073 0.14 0.14 0.175一个 脉冲漏电流 A 我 DM 0.5 0.8 1 1 T A = 25_C 0.4 0.2 1.3 1.3 2 0.83功耗 T A = 100_C P D. 0.16 0.08 0.52 0.52 0.8 W ^热阻,结到环境 R THJA 312.5 625 96 96 62.5 156 _C / W操作连接点和存储温度范围 T J ,T STG -55至150 _C笔记一个.脉宽受最大结温限制.湾 T P V 50 MS. 规格2N7000和2N7002(T A = 25_C,除非另有说明)范围 2N7000 2N7002参数符号测试条件 典型的 A敏马克斯敏马克斯单元静态的漏源击穿电压 V (BR)DSS V GS = 0V,I D = 10MA 70 60 60 V DS = V GS ,I D = 1MA 2.1 0.8 3 V门限电压 V GS(TH) V DS = V GS ,I D = 0.25MA 2.0 1 2.5 V DS = 0V,V GS =“15V “10门体泄漏 我 GSS V DS = 0V,V GS =“20V “100 NA的 V DS = 48V,V GS = 0V 1 T C = 125 ℃ 1000米零栅极电压漏极电流 我 DSS V DS = 60V,V GS = 0V 1嘛 T C = 125 ℃ 500 V DS = 10V,V GS = 4.5V 0.35 0.075 开态漏电流 B 我 D(上) V DS = 7.
2N7000关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*2N7000中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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