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集成电路/IRF540
商品型号:IRF540

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品牌:VISHAY(威世)
封装:-
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  • 商品名称:IRF540
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    IRF540

  • 封装规格:-
  • 商品编号:VISHAY1825089254
  • 商品重量:0.000100kg
IRF540中文资料
<a href = "/items/irf540-cn-1-id-187407.html">IRF540</a>中文资料第1页精选内容:文件号码:91021 WWW.VISHAY.COM S-81240-REV. A,2008年6月16日 1功率MOSFET IRF540,SIHF540 VISHAY SILICONIX特征 ?动态DV / DT额定值 ?重复性雪崩额定 ?175°C的工作温度 ?快速切换 ?易于并联 ?简单的驱动器要求 ?无铅(PB) - 可用描述来自VISHAY的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用设备设计,低导通电阻和成本效益. TO-220封装是所有人普遍的首选商用工业应用功耗电平约为50 W.低热阻而TO-220的低封装成本也是其广泛的贡献接受整个行业.笔记一个.重复评级;脉宽受最大结温限制(见图11). 湾 V DD = 25V,开始T J = 25℃,L =440μH,R G =25Ω,I AS = 28A(见图12). C. I SD≤28 A,DI / DT≤170 A /μS,V DD≤V DS ,T J≤175°C. D.距离表壳1.6毫米.产品摘要 V DS (V) 100 R DS(ON) (Ω)V GS = 10V 0.077 Q G (MAX.)(NC) 72 Q GS (NC) 11 Q GD (NC) 32组态单 N沟道MOSFET G D小号 TO-220 G D小号可得到 ROHS指令*柔顺订购信息包 TO-220无铅(PB) IRF540PBF SIHF540-E3锡铅 IRF540 SIHF540 绝对最大额定值T C = 25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压 V DS 100 V门源电压 V GS ±20连续的漏极电流 V GS 在10 V T C = 25℃ 我 D 28一个 T C = 100℃ 20 脉冲漏电流 A 我 DM 110线性降额因子 1.0厕所 单脉冲雪崩能量 B E AS 230兆焦耳 重复性雪崩电流 A 我 AR 28一个 重复雪崩能量 A E AR 15兆焦耳最大功率耗散 T C = 25℃ P D. 150 W ^ 峰值二极管恢复DV / DT C的DV / DT 5.5 V / NS结温和存储温度范围 T J ,T STG - 55到+ 175 C焊接建议(峰值温度)持续10秒 300 D安装扭矩
IRF540关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*IRF540中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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