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KBPC3510W KBPC3510W
KBPC3500W - KBPC3510W SILICON BRIDGE RECTIFIERS PRV:50 - 1000伏特 IO:35安培特征 : *高电流能力 *高浪涌电流能力 * 高可靠性 *低反向电流 *低正向压降 * PB / ROHS免费机械数据: *案例:金属案例 *环氧树脂:UL94V-O速率阻燃剂 *端子:电镀.25“(6.35 MM).FASTON *极性:标记在案件上的极性符号 *安装位置:用螺栓?...
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KBU8K KBU8K
PAGE. 1 STAD-JUL.21.2004 KBU8A?KBU8K硅单相桥式整流器最大额定值和电气特性除非另有规定,否则额定温度为25°.电阻或电感负载,60HZ.对于容性负载降低20%的电流.数据表 0.933(23.7) 0.052(1.3) 0.220(5.6) 0.047(1.2) 0.181(4.6) 0.894(22.7) KBU单位:英寸(毫米)电压 50到800伏特 8.0安培当前 RECONGNIZED文件#E...
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KBU10K KBU10K
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KBL401G KBL401G
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KS8995XA KS8995XA
KS8995XA中文资料第32页精选内容:麦克雷尔公司 KS8995XA 2008年9月 32 M9999-091508地址名称描述模式默认 0积极退缩启用 1,使更积极的后退算法减半双工模式来提升性能.这不是 IEEE标准. R / W PIN PMRXD0表带选项.拉下 (0):禁用攻击性退后.拉起 (1):积极的退避.注意: PMRXD0有内部下拉.寄存器4(0X04):全?...
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KTC3229 KTC3229
KTC3229中文资料第1页精选内容: INCHANGE SEMICONDUCTOR产品规格硅NPN功率晶体管 KTC3229描述 ·采用TO-220F封装 ·高电压:V CEO = 300V应用 ·用于彩色电视色度输出应用钉扎销描述 1基础 2集电极 3发射 绝对最大额定值(TA = 25 ℃)符号参数条件值单元 V CBO集电极基极电压打开...
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KSA614 KSA614
KSA614中文资料第1页精选内容: INCHANGE SEMICONDUCTOR产品规格硅PNP功率晶体管 KSA614描述 ·采用TO-220封装 ·集电极 - 基极电压:V CBO = -80V(最小值) ·集电极耗散:P C = 25W @ T C = 25 ℃应用 ·低频功率放大器 ·功率调节器钉扎销描述 1发射 2收藏家;连接到安装基座 3基础 ?...
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KSZ8862-16MQL-FX KSZ8862-16MQL-FX
KSZ8862-16MQL-FX中文资料第41页精选内容:麦克雷尔公司 KSZ8862-16 / 32MQL 2010年8月 41 M9999-081310-3.1高级开关功能生成树支持为了支持生成树,主机端口是处理器的指定端口.其他端口可以通过“发送使能”,“接收使能”和5种生成树状态中的一种进行配置分别用于端口1和2的寄存器P1CR2和P2CR2中的“学习禁止?...
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KSD5017 KSD5017
INCHANGE半导体 ISC 产品规格 ISC 硅NPN功率晶体管 KSD5017描述 ·高击穿电压 - :V CBO = 1500V(最小) ·高开关速度 ·高可靠性应用 ·专为彩色电视水平输出应用而设计 绝对最大额定值(T A = 25 ℃)符号参数值单元 V CBO集电极 - 基极电压 1500 V V CEO集电极 - 发射极电压 800 V V EBO发射极 - 基极电压 6 V 我 C集电?...
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KCU20A30 KCU20A30
FRD 类型: KCU20A30 KCU20A30 KCU20A30 KCU20A30轮廓图最大额定值约净重:5.55克评分符号 KCU20A30单元重复峰值反向电压 V RRM 300 V平均整流输出电流 我 O 20 TC = 90 C 50赫兹,完整的正弦波电阻负载一个 RMS正向电流 I F(RMS) 22.2一个浪涌正向电流 我 FSM 120 50赫兹全正弦波,1周期非重复性一个工作JUNCTIONTEMPERATURE范围...
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